-
EMKU環(huán)境測試箱（結露）濕熱交變試驗箱的專用操作注意事項
2026-01-26
EMKU環(huán)境測試箱是專門用于模擬濕熱交變環(huán)境的測試設備，其操作需要特別注意安全性和規(guī)范性。在開機前，必須檢查設備電源連接是否牢固，接地是否可靠，確保設備處于安全狀態(tài)。檢查加濕水箱水位是否在正常范圍內，必須使用純凈水或蒸餾水，避免使用自來水導致水垢堵塞管路。檢查箱內是否有異物，確保測試空間清潔。測試樣品放置時，需要遵循均勻分布原則，避免樣品過于密集影響氣流循環(huán)。樣品與箱壁之間應保持一定距離，一般不小于100mm，確?？諝饬魍槙?。對于發(fā)熱樣品，需要根據發(fā)熱量調整放置位置和數量，...
-
聚焦離子束電鏡測試常見加工缺陷與優(yōu)化策略探討?
2025-12-22
聚焦離子束電鏡測試將高能離子束用于材料微納加工(刻蝕、沉積、切割)與SEM成像結合，可實現(xiàn)截面制備、透射電鏡(TEM)薄片加工、電路修補與三維重構。但在加工過程中易出現(xiàn)多種缺陷，影響樣品質量與分析準確性，必須針對性優(yōu)化。一、常見加工缺陷?溝槽側壁傾斜與波紋?離子束入射角與束流分布不均，或樣品表面不平整，會導致刻蝕溝槽側壁呈斜坡或出現(xiàn)周期性波紋，影響截面平直度。表面損傷層與再沉積?高能離子轟擊產生晶格損傷、非晶化或雜質注入；刻蝕產生的碎屑可能再沉積在側壁或底部，遮蔽結構細節(jié)。熱...
-
SEM掃描電鏡檢測入門指南：從樣品制備到圖像解讀
2025-11-25
SEM掃描電鏡檢測因其高分辨率、大景深和直觀的微觀形貌呈現(xiàn)能力，成為材料、生物、地質等領域關鍵的分析工具。但對于初學者而言，從送樣到獲取可靠圖像，每一步都需嚴謹對待。本文簡要梳理SEM檢測全流程關鍵要點。第一步：樣品制備——成敗在此一舉。導電性良好的金屬樣品可直接觀察；但非導電樣品(如陶瓷、塑料、生物組織)必須進行表面導電處理，常用方法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真空模式。若忽略此步，將出現(xiàn)嚴重“荷電效應”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外，樣品需牢固固定于樣品臺，避...
-
掌握4點原則入手輕松選擇ZEISS場發(fā)射掃描電鏡
2025-10-24
ZEISS場發(fā)射掃描電鏡是材料科學、納米技術、半導體分析等領域觀測微納結構(如原子排列、納米顆粒形貌)的核心工具。ZEISS場發(fā)射掃描電鏡以高分辨率、高穩(wěn)定性和智能操作著稱。但面對復雜的技術參數，選購時掌握以下4點原則，可輕松匹配需求。一、分辨率：分辨率是衡量電鏡成像清晰度的關鍵參數，直接影響能否觀察到納米級細節(jié)(如單個原子的排列、納米線的截面結構)。ZEISS場發(fā)射電鏡的分辨率通常分為“點分辨率”(理論較小可分辨兩點間距)和“實際成像分辨率”(實際樣品成像的清晰度)。對于常...
-
提升國產環(huán)境箱測量精度的幾大操作秘籍
2025-09-22
國產環(huán)境箱是材料性能測試、產品可靠性驗證的核心設備，其測量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影響測試數據的可靠性。對于專業(yè)用戶而言，掌握幾大操作秘籍，能有效提升環(huán)境箱的測量精度，讓設備發(fā)揮更大價值。一、校準先行：環(huán)境箱的傳感器(溫度、濕度、壓力等)會隨時間漂移或受環(huán)境影響產生誤差。專家建議每3-6個月使用標準計量設備(如鉑電阻溫度計、精密露點儀)對箱內參數進行校準，校準點需覆蓋常用測試范圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...
-
LONGPEAK靜電放電發(fā)生器操作常見誤區(qū)及避免方法
2025-08-25
LONGPEAK靜電放電發(fā)生器是模擬靜電放電場景、考核電子電氣產品抗靜電性能的關鍵設備，廣泛用于家電、汽車電子、通信設備等領域的EMC測試。操作中若存在誤區(qū)，易導致測試數據失真、設備損壞，甚至引發(fā)安全隱患。以下梳理4類常見誤區(qū)及對應避免方法。?一、誤區(qū)一：忽視放電槍校準，直接開展測試?部分用戶認為“新設備無需校準”，或長期不校準放電槍，直接用其進行測試。LONGPEAK靜電放電發(fā)生器的放電槍電極易因磨損、污染導致放電電流偏差，若不校準，可能將合格產品誤判為不合格，或遺漏真實抗...
-
掃描電鏡測試數據的定量分析及其在科研中的意義
2025-07-28
掃描電鏡測試數據蘊含著豐富的微觀結構信息，對其進行定量分析在科研領域有著至關重要的意義。在定量分析方面，首先是對圖像中特征尺寸的測量。通過專業(yè)的圖像分析軟件，可以精準地量取材料微觀結構的粒徑大小、孔隙直徑等關鍵尺寸參數。例如在納米材料研究中，準確知曉納米顆粒的直徑分布范圍，能為評估其性能及進一步改進制備工藝提供依據。同時，對于晶界、相界等界面的距離測量也很重要，有助于了解材料的結晶特性以及不同相之間的相互作用情況。另外，對元素成分的定量分析也是重要一環(huán)。結合能譜儀等附件所獲取...
-
半導體閂鎖測試儀基本操作,新手不得不看
2025-06-19
在半導體器件制造與質量檢測過程中，閂鎖效應(Latch-up)測試是一項至關重要的可靠性評估項目。由于CMOS等工藝結構的固有特性，芯片在受到特定電壓、電流或輻射干擾時可能引發(fā)寄生雙極晶體管導通，導致器件損壞。為預防此類風險，半導體閂鎖測試儀被廣泛用于評估集成電路對閂鎖效應的抗擾能力。掌握其基本操作流程，是確保測試結果準確、設備穩(wěn)定運行的前提。一、測試前準備1.確認測試樣品狀態(tài)檢查待測芯片是否完好無損，引腳無彎曲、氧化或短路現(xiàn)象。同時查閱芯片規(guī)格書，明確其供電電壓范圍、較大工...
當前位置：