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TECHNICAL ARTICLESEMKU環(huán)境測(cè)試箱（結(jié)露）濕熱交變?cè)囼?yàn)箱的專用操作注意事項(xiàng)
2026-01-26 EMKU環(huán)境測(cè)試箱是專門(mén)用于模擬濕熱交變環(huán)境的測(cè)試設(shè)備，其操作需要特別注意安全性和規(guī)范性。在開(kāi)機(jī)前，必須檢查設(shè)備電源連接是否牢固，接地是否可靠，確保設(shè)備處于安全狀態(tài)。檢查加濕水箱水位是否在正常范圍內(nèi)，必須使用純凈水或蒸餾水，避免使用自來(lái)水導(dǎo)致水垢堵塞管路。檢查箱內(nèi)是否有異物，確保測(cè)試空間清潔。測(cè)試樣品放置時(shí)，需要遵循均勻分布原則，避免樣品過(guò)于密集影響氣流循環(huán)。樣品與箱壁之間應(yīng)保持一定距離，一般不小于100mm，確?？諝饬魍槙场?duì)于發(fā)熱樣品，需要根據(jù)發(fā)熱量調(diào)整放置位置和數(shù)量，...聚焦離子束電鏡測(cè)試常見(jiàn)加工缺陷與優(yōu)化策略探討?
2025-12-22 聚焦離子束電鏡測(cè)試將高能離子束用于材料微納加工(刻蝕、沉積、切割)與SEM成像結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)截面制備、透射電鏡(TEM)薄片加工、電路修補(bǔ)與三維重構(gòu)。但在加工過(guò)程中易出現(xiàn)多種缺陷，影響樣品質(zhì)量與分析準(zhǔn)確性，必須針對(duì)性優(yōu)化。一、常見(jiàn)加工缺陷?溝槽側(cè)壁傾斜與波紋?離子束入射角與束流分布不均，或樣品表面不平整，會(huì)導(dǎo)致刻蝕溝槽側(cè)壁呈斜坡或出現(xiàn)周期性波紋，影響截面平直度。表面損傷層與再沉積?高能離子轟擊產(chǎn)生晶格損傷、非晶化或雜質(zhì)注入；刻蝕產(chǎn)生的碎屑可能再沉積在側(cè)壁或底部，遮蔽結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。熱...SEM掃描電鏡檢測(cè)入門(mén)指南：從樣品制備到圖像解讀
2025-11-25 SEM掃描電鏡檢測(cè)因其高分辨率、大景深和直觀的微觀形貌呈現(xiàn)能力，成為材料、生物、地質(zhì)等領(lǐng)域關(guān)鍵的分析工具。但對(duì)于初學(xué)者而言，從送樣到獲取可靠圖像，每一步都需嚴(yán)謹(jǐn)對(duì)待。本文簡(jiǎn)要梳理SEM檢測(cè)全流程關(guān)鍵要點(diǎn)。第一步：樣品制備——成敗在此一舉。導(dǎo)電性良好的金屬樣品可直接觀察；但非導(dǎo)電樣品(如陶瓷、塑料、生物組織)必須進(jìn)行表面導(dǎo)電處理，常用方法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真空模式。若忽略此步，將出現(xiàn)嚴(yán)重“荷電效應(yīng)”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外，樣品需牢固固定于樣品臺(tái)，避...掌握4點(diǎn)原則入手輕松選擇ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
2025-10-24 ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡是材料科學(xué)、納米技術(shù)、半導(dǎo)體分析等領(lǐng)域觀測(cè)微納結(jié)構(gòu)(如原子排列、納米顆粒形貌)的核心工具。ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡以高分辨率、高穩(wěn)定性和智能操作著稱。但面對(duì)復(fù)雜的技術(shù)參數(shù)，選購(gòu)時(shí)掌握以下4點(diǎn)原則，可輕松匹配需求。一、分辨率：分辨率是衡量電鏡成像清晰度的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響能否觀察到納米級(jí)細(xì)節(jié)(如單個(gè)原子的排列、納米線的截面結(jié)構(gòu))。ZEISS場(chǎng)發(fā)射電鏡的分辨率通常分為“點(diǎn)分辨率”(理論較小可分辨兩點(diǎn)間距)和“實(shí)際成像分辨率”(實(shí)際樣品成像的清晰度)。對(duì)于常...提升國(guó)產(chǎn)環(huán)境箱測(cè)量精度的幾大操作秘籍
2025-09-22 國(guó)產(chǎn)環(huán)境箱是材料性能測(cè)試、產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證的核心設(shè)備，其測(cè)量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性。對(duì)于專業(yè)用戶而言，掌握幾大操作秘籍，能有效提升環(huán)境箱的測(cè)量精度，讓設(shè)備發(fā)揮更大價(jià)值。一、校準(zhǔn)先行：環(huán)境箱的傳感器(溫度、濕度、壓力等)會(huì)隨時(shí)間漂移或受環(huán)境影響產(chǎn)生誤差。專家建議每3-6個(gè)月使用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量設(shè)備(如鉑電阻溫度計(jì)、精密露點(diǎn)儀)對(duì)箱內(nèi)參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)點(diǎn)需覆蓋常用測(cè)試范圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...LONGPEAK靜電放電發(fā)生器操作常見(jiàn)誤區(qū)及避免方法
2025-08-25 LONGPEAK靜電放電發(fā)生器是模擬靜電放電場(chǎng)景、考核電子電氣產(chǎn)品抗靜電性能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛用于家電、汽車(chē)電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的EMC測(cè)試。操作中若存在誤區(qū)，易導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)失真、設(shè)備損壞，甚至引發(fā)安全隱患。以下梳理4類常見(jiàn)誤區(qū)及對(duì)應(yīng)避免方法。?一、誤區(qū)一：忽視放電槍校準(zhǔn)，直接開(kāi)展測(cè)試?部分用戶認(rèn)為“新設(shè)備無(wú)需校準(zhǔn)”，或長(zhǎng)期不校準(zhǔn)放電槍，直接用其進(jìn)行測(cè)試。LONGPEAK靜電放電發(fā)生器的放電槍電極易因磨損、污染導(dǎo)致放電電流偏差，若不校準(zhǔn)，可能將合格產(chǎn)品誤判為不合格，或遺漏真實(shí)抗...掃描電鏡測(cè)試數(shù)據(jù)的定量分析及其在科研中的意義
2025-07-28 掃描電鏡測(cè)試數(shù)據(jù)蘊(yùn)含著豐富的微觀結(jié)構(gòu)信息，對(duì)其進(jìn)行定量分析在科研領(lǐng)域有著至關(guān)重要的意義。在定量分析方面，首先是對(duì)圖像中特征尺寸的測(cè)量。通過(guò)專業(yè)的圖像分析軟件，可以精準(zhǔn)地量取材料微觀結(jié)構(gòu)的粒徑大小、孔隙直徑等關(guān)鍵尺寸參數(shù)。例如在納米材料研究中，準(zhǔn)確知曉納米顆粒的直徑分布范圍，能為評(píng)估其性能及進(jìn)一步改進(jìn)制備工藝提供依據(jù)。同時(shí)，對(duì)于晶界、相界等界面的距離測(cè)量也很重要，有助于了解材料的結(jié)晶特性以及不同相之間的相互作用情況。另外，對(duì)元素成分的定量分析也是重要一環(huán)。結(jié)合能譜儀等附件所獲取...公司郵箱： jfyp@tu-zhe.cn
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